The ability to study materials is essential in many areas. With advancements in technology, it is now possible to study atomic transitions in detail. This paper investigates two factors, bandwidth and selectivity, when examining different reactions. Specifically, it explores how the duration of the laser pulse affects the width of energies and selectivity when studying transitions. This is done using a simulation of femto- and attosecond pulses that are modeled by a Morlet wavelet.These pulses were then Fourier transformed to analyze the width of energies contained in that pulse, in accordance with Heisenberg’s uncertainty principle. Fermi’s golden rule and a table of electron bindingenergies were used to qualitatively assess selectivity. Results show that a 1 fs pulse corresponds to about 1 eV in FWHM energy and a 1 as pulse corresponds to about 1000 eV in FWHM energy. Selectivity generally decreases with increasing bandwidth due to multiple transitions coupling but improves when the coupling of a specific transition is dominant. The density of states also impacts selectivity; higher densities reduce selectivity, while lower densities enhance it. 

Möjligheten att studera material  är väsentlig inom många områden. Med teknologiska framsteg är det nu möjligt att studera atomära övergångar i detalj. Denna uppsats undersöker två faktorer, bandbredd och selektivitet, vid använding av ultra-korta laser pulser under studering av material. Specifikt utforskas hur varaktigheten av laserpulsen påverkar energibredden och selektiviteten vid studier av övergångar. Detta görs med hjälp av en simulering av femto- och attosekundspulser som modelleras med en Morlet-wavelet. Dessa pulser Fouriertransformeras sedan analyseras energibredden som finns i pulsen, i enlighet med Heisenbergs osäkerhetsprincip. Fermis gyllene regel och en tabell över elektronens bindingsenergier används för att kvalitativt bedöma selektiviteten. Resultet visar att en puls på 1 fs motsvarar ungefär 1 eV i FWHM-energi och en puls på 1 as motsvarar ungefär 1000 eV i FWHM-energi. Selektiviteten minskar generellt med ökande bandbredd på grund av multipla övergångskopplingar, men förbättras när kopplingen av en specifik övergång är dominerande. Tillståndstätheten påverkar också selektiviteten; högre täthet minskar selektiviteten, medan lägre täthet ökar den.