Endre søk
Begrens søket
23456 201 - 250 of 278
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 201.
    Nakagomi, Shinji
    et al.
    School of Science and Engineering, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Japan.
    Tobias, Peter
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Univ, S SENCE, S-58183 Linkoping, Sweden; Linkoping Univ, Appl Phys Lab, S-58183 Linkoping, Sweden; Ishinomaki Senshu Univ, Sch Sci and Engn, Ishinomaki 98680, Japan; .
    Baranzahi, Amir
    Linköpings universitet, Institutionen för teknik och naturvetenskap, Fysik och elektroteknik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Biosensorer och bioelektronik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Mårtensson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Influence of carbon monoxide, water and oxygen on high temperature catalytic metal-oxide-silicon carbide structures1997Inngår i: Sensors and actuators. B, Chemical, ISSN 0925-4005, E-ISSN 1873-3077, Vol. 45, nr 3, s. 183-191Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    High temperature sensors, Schottky diodes and capacitors, based on catalytic metal-oxide-silicon carbide devices are investigated. Reducing gases like hydrogen and other hydrogen containing gases, decrease the barrier height and the flat band voltage, respectively, which is used as the sensor signal. The sensitivity of the devices at 600 degrees C to mixtures of carbon monoxide and oxygen with and without water vapour is studied in this paper. A large binary response of the sensors to carbon monoxide similar to the sensor response to hydrogen gas is observed. Close to the stoichiometric ratio of carbon monoxide and oxygen, the signal changes from a high to a low value corresponding to an excess of carbon monoxide and an excess of oxygen, respectively. When hydrogen is added to a mixture of carbon monoxide and oxygen, the signal changes from a high to a low value at a higher oxygen concentration. Since the response of these devices to hydrogen and hydrogen containing gases is supposed to emanate from hydrogen atoms, the mechanism of the response to carbon monoxide is discussed. The signal to carbon monoxide as well as to hydrogen decreases in the presence of water vapour and the reason for this is discussed.

  • 202.
    Nakagomia, Shinji
    et al.
    Ishinomaki Senshu University.
    Wingqvist, Gunilla
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Åbom, Elisabeth
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Helmersson, Ulf
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Plasma och beläggningsfysik.
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Hydrogen sensing by NKN thin film with high dielectric constant and ferroelectric property2005Inngår i: Sensors and actuators. B, Chemical, ISSN 0925-4005, E-ISSN 1873-3077, Vol. 108, s. 490-495Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Hydrogen sensing properties of sodium potassium niobate NaxKyNbOz (NKN) thin films were studied. The NKN thin films were prepared by reactive rf magnetron sputtering. NKN is a ferroelectric material with high dielectric constant. The polarization increases in hydrogen ambient and decreases in oxygen ambient. The conductivity of the NKN film in hydrogen ambient is higher than in oxygen ambient, and these changes are reversible. The threshold voltage of the current-voltage (I-V) characteristics depends on the hydrogen concentration, and a large response of 3.3V was obtained.

  • 203.
    Pearce, Ruth
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Becker, Elin
    Chalmers Göteborg.
    Haglin, A
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Söderlind, Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Käll, Per-Olov
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Skoglundh, Magnus
    Chalmers, Göteborg.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Understanding the gas sensor response of ZnO and Ga:ZnO2010Inngår i: IMCS13, 2010, s. 376-Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 204.
    Pearce, Ruth
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Belmonte, Judith
    Department of Materials, Imperial College London, UK.
    Shaw, J
    Tyco Safety Products, UK.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Buchholt, Kristina
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Schaffer, M S P
    Department of Chemistry, Imperial College London, UK.
    The effect of temperature on the gas sensing properties of CVD grown MWCNTs2007Inngår i: The 2nd Conference onf Sensing Technology ICST, 2007, Palmerston North, New Zeeland: Palmerston Inst. of Information Sciences and Techn., Massey University. , 2007, s. 455-460Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 205.
    Pearce, Ruth
    et al.
    National Physical Laboratory, Teddington, UK.
    Eriksson, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Iakimov, Tihomir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositza
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    On the Differing Sensitivity to Chemical Gating of Single and Double Layer Epitaxial Graphene Explored Using Scanning Kelvin Probe Microscopy2013Inngår i: ACS Nano, ISSN 1936-0851, E-ISSN 1936-086X, Vol. 7, nr 5, s. 4647-4656Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Using environmental scanning Kelvin probe microscopy we show that the position of the Fermi level of single layer graphene is more sensitive to chemical gating than that of double layer graphene. We calculate that the difference in sensitivity to chemical gating is not entirely due to the difference in band structure of 1 and 2 layer graphene. The findings are important for gas sensing where the sensitivity of the electronic properties to gas adsorption are monitored and suggest that single layer graphene could make a more sensitive gas sensor than double layer graphene. We propose that the difference in surface potential between adsorbate-free single and double layer graphene, measured using scanning kelvin probe microscopy, can be used as a non-invasive method of estimating substrate-induced doping in epitaxial graphene.

  • 206.
    Pearce, Ruth
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Iakimov, Tihomir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, M
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Towards Optimisation of Epitaxially Grown Graphene Based Sensors for Highly Sensitive Gas Detection2010Inngår i: 2010 IEEE Sensors, Piscataway, NJ, United States: IEEE , 2010, s. 898-902Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Epitaxially grown single-layer and many-layer (10 atomic layers thick) resistive graphene devices were fabricated and compared for response towards NO2. Single-layer devices showed far greater sensitivity. The many-layer devices reduced in resistance on exposure to electron withdrawing NO2 demonstrating a majority hole carriers (p-type), whereas the single-layer device demonstrated an increase in resistance upon NO2 exposure demonstrating a majority of electron carriers (n-type). An n-p shift is observed for the single-layer device upon exposure to increasing concentrations of NO2. This shift is thought to be due to the reduction of electrons in the conduction band upon adsorption of electron-withdrawing NO2 making holes the majority carriers.

  • 207.
    Pearce, Ruth
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Iakimov, Tihomir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Epitaxially grown graphene based gas sensors for ultra sensitive NO(2) detection2011Inngår i: Sensors and actuators. B, Chemical, ISSN 0925-4005, E-ISSN 1873-3077, Vol. 155, nr 2, s. 451-455Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Epitaxially grown single layer and multi layer graphene on SiC devices were fabricated and compared for response towards NO(2). Due to electron donation from SiC:, single layer graphene is n-type with a very low carrier concentration. The choice of substrate is demonstrated to enable tailoring of the electronic properties of graphene, with a SiC substrate realising simple resistive devices tuned for extremely sensitive NO(2) detection. The gas exposed uppermost layer of the multi layer device is screened from the SiC by the intermediate layers leading to a p-type nature with a higher concentration of charge carriers and therefore, a lower gas response. The single layer graphene device is thought to undergo an n-p transition upon exposure to increasing concentrations of NO(2) indicated by a change in response direction. This transition is likely to be due to the transfer of electrons to NO(2) making holes the majority carriers. (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 208.
    Pearce, Ruth
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Söderlind, Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Molekylär fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hagelin, Alexander
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Käll, Per-Olov
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Becker, Elin
    Competence Centre for Catalysis Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden.
    Skoglundh, Magnus
    Competence Centre for Catalysis Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden.
    Effect of Water vapour on Gallium doped Zinc Oxide nanoparticle sensor gas response2009Inngår i: IEEE Sensors, 2009, Piscataway, NJ, United States: IEEE , 2009, s. 2039-2043Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Zinc oxide is a wide band gap (similar to 3.4ev) semiconductor material, making it a promising material for high temperature applications, such as exhaust and flue environments where NO and NO2 monitoring is increasingly required due to stricter emission controls[1]. In these environments water vapour and background levels of oxygen are present and, as such, the effect of humidity on the sensing characteristics of these materials requires further study. The reaction mechanisms in the presence of water vapour are poorly understood and there is a need for deeper understanding of the principles and mechanisms of gas response of these materials. An investigation of the influence of changing water vapour (H2O) and oxygen (O-2) backgrounds on the response of nanoparticulate Ga-doped ZnO resistive sensors is presented.

  • 209.
    Pearce, Ruth
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Johan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Yt- och Halvledarfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Sensorvetenskap och Molekylfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Development of FETs and resistive devices based on epitaxially grown single layer graphene on SiC for highly sensitive gas detection2012Inngår i: Materials Science Forum Vols 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 687-690Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Epitaxially grown single layer graphene on silicon carbide (SiC) resistive sensors were characterised for NO2 response at room and elevated temperatures, with an n-p type transition observed with increasing NO2 concentration for all sensors. The concentration of NO2 required to cause this transition varied for different graphene samples and is attributed to varying degrees of substrate induced Fermi-level (E-F) pinning above the Dirac point. The work function of a single layer device increased steadily with increasing NO2 concentration indicating no change in reaction mechanism for high and low concentrations despite a change in sensor response direction. Epitaxially grown graphene device preparation is challenging due to poor adhesion of the graphene layer to the substrate. A field effect transistor (FET) device is presented which does not require wire bonding to contacts on graphene.

  • 210.
    Pearce, Ruth
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositza
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Development of FETs based on epitaxially grown single layer graphene on SiC for highly sensitive gas detection2011Inngår i: Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related materials, 2011, s. 405-Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 211.
    Penza, Michele
    et al.
    ENEA, Italy.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Sensor- och aktuatorsystem. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Romano-Rodriguez, Albert
    University of Barcelona, Spain.
    Meyyappan, Meyya
    NASA, CA 94035 USA.
    Functional materials for environmental sensors and energy systems2017Inngår i: Beilstein Journal of Nanotechnology, ISSN 2190-4286, Vol. 8, s. 2015-2016Artikkel i tidsskrift (Annet vitenskapelig)
    Abstract [en]

    n/a

  • 212.
    Petoral, Rodrigo Jr
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Molekylär ytfysik och nanovetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Yazdi, Gholamreza
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Uvdal, Kajsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Molekylär ytfysik och nanovetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Organosilane-functionalized wide band gap semiconductor surfaces2007Inngår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 90, nr 22Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Surface functionalization of wide band gap semiconductors, SiC, ZnO, and GaN, with organosilane is reported. Formation of self-assembled monolayers of mercaptopropyltrimethoxysilane is confirmed by x-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy. The molecules are adsorbed on the surfaces through the silane groups with the free thiol groups molecularly oriented away from the surface. Moreover, chemisorption via the thiolate is observed for the ZnO surface. Immobilization of a model biomolecule to the functionalized surface is demonstrated. An amino acid derivative, i.e., phosphotyrosine derived thiol, is linked on the functionalized ZnO and GaN surfaces via formation of disulfide bridges. © 2007 American Institute of Physics.

  • 213.
    Petoral, Rodrigo Jr
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Sensorvetenskap och Molekylfysik.
    Yazdi, Gholamreza
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Vahlberg, Cecilia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Sensorvetenskap och Molekylfysik.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Uvdal, Kajsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Sensorvetenskap och Molekylfysik.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Surface Functionalization of SiC for Biosensor Applications2007Inngår i: ECSCRM 2006,2006, Material Science Forum, vol 556-557: Trans Tech Publications , 2007, s. 957-Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 214.
    Puglisi, Donatella
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bur, Christian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Saarland University, Lab for Measurement Technology, Germany.
    Bastuck, Manuel
    Saarland University, Lab for Measurement Technology, Germany.
    Schuetze, Andreas
    Saarland University, Germany.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Mastering VOC detection for better indoor air quality2014Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    In this study, we use two different sensor technologies based on gas sensitive silicon carbide field effect transistors (SiC-FETs) and epitaxial graphene on SiC (EG/SiC) for highly sensitive and selective detection of trace amounts of three hazardous volatile organic compounds (VOCs), i.e. formaldehyde (CH2O), benzene (C6H6), and naphthalene (C10H8), present in indoor environments in concentrations of health concern.

    Iridium and platinum are used as sensing layers for the gate contacts. The FET sensors are operated at high temperature, under static and dynamic conditions. Excellent detection limits of 10 ppb for CH2O, about 1 ppb for C6H6, and below 0.5 ppb for C10H8 are measured at 60 % relative humidity (r.h.) [1]. The selectivity of the sensors is increased by temperature cycled operation and data evaluation based on multivariate statistics. Discrimination of CH2O, C6H6, and C10H8 independent of the level of background humidity is possible with a very high cross-validation rate up to 90 % [2]. These results are very encouraging for indoor air quality control, being below the threshold limits recommended by the WHO guidelines.

    Graphene-based chemical sensors offer the advantage of extreme sensitivity due to graphene’s unique electronic properties and the fact that every single atom is at the surface and available to interact with gas molecules. For this reason, uniform monolayer graphene is crucial [3], which is guaranteed by our optimized epitaxial growth process. Graphene-based chemical gas sensors normally show ultra-high sensitivity to certain gas molecules but suffer from poor selectivity. Functionalization or modification of the graphene surface can improve selectivity, but most such measures result in poor reproducibility. We demonstrate reproducible, non-destructive means of graphene surface decoration with nanostructured metals and metal oxides, and study their effect on the gas interactions at the graphene surface.

  • 215.
    Puglisi, Donatella
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bur, Christian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Saarland University, Saarbruecken, Germany.
    Kang, Yu Hsuan
    No University.
    Yakimova, Rositza
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Schütze, Andreas
    Saarland University, Saarbruecken, Germany.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    SiC-FET and graphene-based gas sensors for sensitive detection of toxic substances in indoor environments2014Inngår i: Proc of IMCS 2014, Buenos Aires, ARgentina, March 17-19, 2014Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 216.
    Puglisi, Donatella
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap.
    Eriksson, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap.
    Huotari, Joni
    University of Oulu, Finland.
    Bastuck, Manuel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Saarland University, Saarbruecken, Germany.
    Bur, Christian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Saarland University, Lab for Measurement Technology, Germany.
    Lappalainen, Jyrki
    University of Oulu, Finland.
    Schuetze, Andreas
    Saarland University, Germany.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Exploring the gas sensing performance of catalytic metal/ metal oxide 4H-SiC field effect transistors2016Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 858, s. 997-1000Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Gas sensitive metal/metal-oxide field effect transistors based on silicon carbide were used to study the sensor response to benzene (C6H6) at the low parts per billion (ppb) concentration range. A combination of iridium and tungsten trioxide was used to develop the sensing layer. Highsensitivity to 10 ppb C6H6 was demonstrated during several repeated measurements at a constant temperature from 180 to 300 °C. The sensor performance was studied also as a function of the electrical operating point of the device, i.e., linear, onset of saturation, and saturation mode. Measurements performed in saturation mode gave a sensor response up to 52 % higher than those performed in linear mode.

  • 217.
    Puglisi, Donatella
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bur, Christian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Saarland University, Lab for Measurement Technology, Germany.
    Schuetze, Andreas
    Saarland University, Germany.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Catalytic metal-gate field effect transistors based on SiC for indoor air quality control2015Inngår i: Journal of Sensors and Sensor Systems, ISSN 2194-8771, Vol. 4, s. 1-8Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    High-temperature iridium-gated field effect transistors based on silicon carbide have been used for sensitive detection of specific volatile organic compounds (VOCs) in concentrations of health concern, for indoorair quality monitoring and control. Formaldehyde, naphthalene, and benzene were studied as hazardous VOCs at parts per billion (ppb) down to sub-ppb levels. The sensor performance and characteristics were investigated at a constant temperature of 330° C and at different levels of relative humidity up to 60 %, showing good stability and repeatability of the sensor response, and excellent detection limits in the sub-ppb range.

  • 218.
    Puglisi, Donatella
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bur, Christian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Saarland University, Saarbruecken, Germany.
    Schuetze, Andreas
    Saarland University, Saarbruecken, Germany.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Silicon carbide field effect transistors for detection of ultra-low concentrations of hazardous volatile organic compounds2014Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 778-780, s. 1067-1070Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Gas sensitive silicon carbide field effect transistors with nanostructured Ir gate layershave been used for the first time for sensitive detection of volatile organic compounds (VOCs) atpart per billion level, for indoor air quality applications. Formaldehyde, naphthalene, and benzenehave been used as typical VOCs in dry air and under 10% and 20% relative humidity. A singleVOC was used at a time to study long-term stability, repeatability, temperature dependence, effectof relative humidity, sensitivity, response and recovery times of the sensors.

  • 219.
    Puglisi, Donatella
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Eriksson, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Huotari, Joni
    University of Oulu, Finland.
    Bastuk, Manuel
    Saarland University, Saarbruecken, Germany.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Exploring the gas sensing performance of catalytic metal/ metal oxide 4H-SiC field effect transistors2015Inngår i: ICSCRM 2015, 2015Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 220. Roy, S
    et al.
    Salomonsson, Anette
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Aulin, C
    Käll, Per-Olov
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi.
    Ojamäe, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi.
    Strand, M
    Sanati, M
    Metal oxide nanoparticles as novel gate materials for field-effect gas sensors2006Inngår i: Materials and Manufacturing Processes, ISSN 1042-6914, E-ISSN 1532-2475, Vol. 21, s. 275-278Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

      

  • 221.
    Salomonsson, Anette
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Petoral Jr., Rodrigo M.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Sensorvetenskap och Molekylfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Uvdal, Kajsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Sensorvetenskap och Molekylfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Aulin, Christian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Käll, Per-Olov
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ojamäe, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Strand, Michael
    School of Technology and Design/Chemistry, Växjö University, Växjö, Sweden.
    Sanati, Mehri
    School of Technology and Design/Chemistry, Växjö University, Växjö, Sweden.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nanocrystalline Ruthenium oxide and Ruthenium in sensing applications -an experimental and theoretical study2006Inngår i: Journal of Nanoparticle Research, ISSN 1388-0764, Vol. 8, nr 6, s. 899-910Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    In this project, we have explored RuO2 and Ru nanoparticles (∼ ∼10 and ∼ ∼5 nm, respectively, estimated from XRD data) to be used as gate material in field effect sensor devices. The particles were synthesized by wet chemical procedure. The capacitance versus voltage characteristics of the studied capacitance shifts to a lower voltage while exposed to reducing gases. The main objectives are to improve the selectivity of the FET sensors by tailoring the dimension and surface chemistry of the nanoparticles and to improve the high temperature stability. The sensors were characterized using capacitance versus voltage measurements, at different frequencies, 500 Hz to 1 MHz, and temperatures at 100–400°C. The sensor response patterns have been found to depend on operating temperature. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analyses were performed to investigate the oxidation state due to gas exposure. Quantum-chemical computations suggest that heterolytic dissociative adsorption is favored and preliminary computations regarding water formation from adsorbed hydrogen and oxygen was also performed.

  • 222.
    Salomonsson, Anette
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Roy, S
    Aulin, C
    Ojamäe, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi.
    Käll, Per-Olov
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi.
    Strand, M
    Sanati, M
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    RuO2 and Ru nanoparticles for MISiCFET gas sensors2005Inngår i: Nanotech NSTI 2005,2005, 2005, s. 269-Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 223.
    Salomonsson, Anette
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Roy, Somenath
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Aulin, Christian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Cerdà, Judith
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Käll, Per-Olov
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ojamäe, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Strand, Michael
    Division of Chemistry, Växjö University, Växjö, Sweden.
    Sanati, Mehri
    Division of Chemistry, Växjö University, Växjö, Sweden.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nanoparticles for long-term stable, more selective MISiCFET gas sensors2005Inngår i: Sensors and Actuators B, ISSN 0925-4005, Vol. 107, nr 2, s. 831-838Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Synthesis of metal-oxide nanoparticles and utilization of these particles as gate materials for field-effect sensor devices is reported. Improved selectivity to specific gases is expected by modulating the size of the oxide nanoparticles or impregnating them with catalytic metals. Another objective is to improve the long-term thermal stability of the sensors, since the metal loaded nanoparticles may prevent thermally induced restructuring of the gate layer, which is often a problematic issue for the catalytic metal layers. Because of its reasonably high electrical conductivity, which is especially important for the capacitive gas sensors, ruthenium dioxide has been identified to be one of the potential candidates as gate material for the field-effect sensor devices. Interestingly, this material has been found to change its resistivity in different gaseous ambients. When used as a gate material, sensitivity to reducing gases has been observed for the RuO2/SiO2/4H-SiC capacitors. Changes in the resistivity of the films due to various gas exposures have also been recorded. Morphological studies of nanoparticles (SiO2 and Al2O3), loaded or impregnated with catalytic metals (e.g. Pt), have been performed.

  • 224.
    Salomonsson, Anette
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Roy, Somenath
    Aulin, Christian
    Ojamäe, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Käll, Per-Olov
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Strand, Michael
    Växjö university.
    Sanati, Mehri
    Växjö university.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ruthenium dioxide & Ru Nanoparticles for MISiCFET gas sensors2005Inngår i: Nanotech 2005 (NSTI) Anaheim, USA, 8-12 May, 2005, Vol. 2, nr Chapter 4, s. 269–272-Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Catalytically active nanoparticles used as gate material on SiC-FET gas sensors. The goal is to improve the selsectivity and senstitivty.The sensors are sensitive towards oxidising and reducing gases (H2, NH3, C3H6).

  • 225.
    Savage, S
    et al.
    ACREO AB, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, S SENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Svenningstorp, H
    ACREO AB, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, S SENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Unéus, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Kroutchinine, A
    ACREO AB, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, S SENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Tobias, P
    ACREO AB, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, S SENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Ekedahl, Lars-Gunnar
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Harris, C
    ACREO AB, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, S SENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    SiC based gas sensors and their applications2000Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 353-3, s. 747-752Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The development and field-testing of hardy high-temperature sensors based on silicon carbide devices has to date shown promising results in several application areas. As the need to take care of the environment becomes more urgent, these small and relatively cheap sensors could be used to increase the monitoring of gases, or to replace or complement larger and more expensive sensor technologies used today. In this paper the development of Silicon Carbide MOSFET transistor sensors and Schottky diode sensors is described. The devices are tested in industrial applications such as monitoring of car exhausts and flue gases.

  • 226.
    Schmeisser, D.
    et al.
    Schmeißer, D., Angewandte Physik-Sensorik, BTU Cottbus, Erich-Weinert-Str. 1, 03046 Cottbus, Germany.
    Batchelor, D.R.
    Angewandte Physik-Sensorik, BTU Cottbus, Erich-Weinert-Str. 1, 03046 Cottbus, Germany.
    Mikalo, R.P.
    Angewandte Physik-Sensorik, BTU Cottbus, Erich-Weinert-Str. 1, 03046 Cottbus, Germany.
    Hoffmann, P.
    Angewandte Physik-Sensorik, BTU Cottbus, Erich-Weinert-Str. 1, 03046 Cottbus, Germany.
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Oxide growth on SiC(0 0 0 1) surfaces2001Inngår i: Applied Surface Science, ISSN 0169-4332, E-ISSN 1873-5584, Vol. 184, nr 1-4, s. 340-345Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The oxidation of 6H SiC(0 0 0 1) surfaces is studied by high resolution photoelectron spectroscopy. We compare the oxides formed by HF dip, by room temperature treatment in ozone, and by thermal oxidation in air at 1000 °C, respectively. We find a stable intermediate layer in all investigated systems which differs from the bulk oxide that is stable up to 1200 °C. Our data suggest that the growth of the SiO2 layer proceeds via that intermediate silicate layer. © 2001 Published by Elsevier Science B.V.

  • 227.
    Schmeisser, D
    et al.
    Brandenburg Tech Univ Cottbus, Germany.
    Bohme, O
    Brandenburg Tech Univ Cottbus, Germany.
    Yfantis, A
    Brandenburg Tech Univ Cottbus, Germany.
    Heller, T
    Brandenburg Tech Univ Cottbus, Germany.
    Batchelor, DR
    Brandenburg Tech Univ Cottbus, Germany.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Biosensorer och bioelektronik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Dipole moment of nanoparticles at interfaces1999Inngår i: Physical Review Letters, ISSN 0031-9007, E-ISSN 1079-7114, Vol. 83, nr 2, s. 380-383Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The properties of heterogeneous interfaces are modified essentially by the presence of nanoparticles. We provide a model and give spectroscopic evidence that nanoscale clusters exist which have a metallic core and a shell of an almost perfect oxide. Such clusters produce a large dipole moment which manifests itself as shifts in core levels as seen by photoelectron spectroscopy, as well as non-Ohmic rectifying behavior in the device electrical properties.

  • 228.
    Seftel, Elena Mihaela
    et al.
    Department of Materials Chemistry, Al. I. Cuza University of Iasi, Romania.
    Cool, Pegie
    Laboratory of Adsorption and Catalysis, Department of Chemistry, University of Antwerpen (CDE), Belgien.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Doina, Lutic
    Department of Materials Chemistry, Al. I. Cuza University of Iasi, Romania.
    Synthesis and characterization of catalytic metal semiconductor-doped siliceous materials with ordered structure for chemical sensoring2013Inngår i: Journal of porous materials, ISSN 1380-2224, E-ISSN 1573-4854, Vol. 20, nr 5, s. 1119-1128Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Sensing materials based on doped mesoporous silica of SBA-15 type were obtained by repeated wet impregnation of the solid with semiconductive oxides (Sn and In) and noble metal (Pt). The mesoporous structure of SBA was preserved during the doping and calcination of the solid, although slight pore size narrowing occurred as shown by the BET adsorption analysis. The solid was deposited by the casting technique as a thin layer on a finger structure. The modifications of its electrical resistance values in the presence of hydrogen and propene (50–400 ppm), at temperature values of 450 °C was used as sensing parameter, in the presence of propene and hydrogen. The sensitivity to propene was higher than that to hydrogen.

  • 229.
    Seftel, Elena-Mihaela
    et al.
    Alexandru Ioan Cuza University, Romania; University of Antwerp, Belgium.
    Cool, Pegie
    University of Antwerp, Belgium.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lutic, Doina
    Alexandru Ioan Cuza University, Romania .
    Pt-doped semiconductive oxides loaded on mesoporous SBA-15 for gas sensing2014Inngår i: Comptes rendus. Chimie, ISSN 1631-0748, E-ISSN 1878-1543, Vol. 17, nr 7-8, s. 717-724Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    SBA-15-based solids combining semiconductive oxides (Sn and In) and noble metal (Pt) were prepared by an incipient wet impregnation method in order to obtain materials for gas sensing. The materials were characterized by XRD, BET adsorption, SEM, and TEM. The BET analysis allowed obtaining details about the specific surface areas, pore size, and modifications due to the indium and/or tin oxides followed by the Pt deposition. XRD data revealed that In2O3 did not enter the mesopores of SBA-15, preventing also the entrance of the Pt nanoparticles in the mesopores. On the other hand, SnO2 nanoparticles further doped with Pt could enter the mesoporous network, affording a SBA-15 material loaded with SnO2 and very small Pt nanoparticles with high dispersion. Tablets obtained by pressing the modified SBA-15 were tested as sensitive materials for propene and hydrogen detection.

  • 230.
    Shtepliuk, Ivan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Eriksson, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Khranovskyy, Volodymyr
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Iakimov, Tihomir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Monolayer graphene/SiC Schottky barrier diodes with improved barrier height uniformity as a sensing platform for the detection of heavy metals2016Inngår i: Beilstein Journal of Nanotechnology, ISSN 2190-4286, Vol. 7, s. 1800-1814Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A vertical diode structure comprising homogeneous monolayer epitaxial graphene on silicon carbide is fabricated by thermal decomposition of a Si-face 4H-SiC wafer in argon atmosphere. Current-voltage characteristics of the graphene/SiC Schottky junction were analyzed by applying the thermionic-emission theory. Extracted values of the Schottky barrier height and the ideality factor are found to be 0.4879 +/- 0.013 eV and 1.01803 +/- 0.0049, respectively. Deviations of these parameters from average values are smaller than those of previously observed literature data, thereby implying uniformity of the Schottky barrier height over the whole diode area, a stable rectifying behaviour and a good quality of ohmic palladium-graphene contacts. Keeping in mind the strong sensitivity of graphene to analytes we propose the possibility to use the graphene/SiC Schottky diode as a sensing platform for the recognition of toxic heavy metals. Using density functional theory (DFT) calculations we gain insight into the nature of the interaction of cadmium, mercury and lead with graphene as well as estimate the work function and the Schottky barrier height of the graphene/SiC structure before and after applying heavy metals to the sensing material. A shift of the I-V characteristics of the graphene/SiC-based sensor has been proposed as an indicator of presence of the heavy metals. Since the calculations suggested the strongest charge transfer between Pb and graphene, the proposed sensing platform was characterized by good selectivity towards lead atoms and slight interferences from cadmium and mercury. The dependence of the sensitivity parameters on the concentration of Cd, Hg and Pb is studied and discussed.

  • 231.
    Sobocinski, Maciej
    et al.
    University of Oulu, Finland.
    Bilby, David
    Ford Motor Co, USA.
    Kubinski, David
    Ford Motor Co, USA.
    Visser, Jaco
    Ford Motor Co, USA.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. University of Oulu, Finland.
    Juuti, Jari
    University of Oulu, Finland.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. University of Oulu, Finland.
    Jantunen, Heli
    University of Oulu, Finland.
    SiC MOSFET soot sensor in a co-fired LTCC package2016Inngår i: PROCEEDINGS OF THE 30TH ANNIVERSARY EUROSENSORS CONFERENCE - EUROSENSORS 2016, ELSEVIER SCIENCE BV , 2016, Vol. 168, s. 27-30Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A novel method for soot detection based on SiC MOSFET devices with a dual suspended/floating gate configuration in a co-fired LTCC package has been investigated. Response to different concentrations of soot was measured through the application of an electric field between the two gate electrodes to attract charged soot onto the sensor surface. Results are promising with application areas from automotive and transportation to air pollution control. (C) 2016 The Authors. Published by Elsevier Ltd.

  • 232.
    Sobocinski, Maciej
    et al.
    University of Oulu, Finland.
    Khajavizadeh, Lida
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Juuti, Jari
    University of Oulu, Finland.
    Jantunen, Heli
    University of Oulu, Finland.
    Performance of LTCC embedded gas sensors2015Inngår i: Proceedings Eurosensors 2015, 2015, s. 361-364Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 233.
    Sobocinski, Maciej
    et al.
    Microelectronics and Material Physics Laboratories University of Oulu, Finland.
    Khajavizadeh, Lida
    Microelectronics and Material Physics Laboratories University of Oulu, Finland.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. Microelectronics and Material Physics Laboratories University of Oulu, Finland.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. Microelectronics and Material Physics Laboratories University of Oulu, Finland.
    Juuti, Jari
    Microelectronics and Material Physics Laboratories University of Oulu, Finland.
    Jantunen, Heli
    Microelectronics and Material Physics Laboratories University of Oulu, Finland.
    Performance of LTCC embedded SiC gas sensors2015Inngår i: Procedia Engineering, ISSN 1877-7058, E-ISSN 1877-7058, Vol. 120, s. 253-256Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A novel approach to encapsulation/packaging of SiC field effect transistor gas sensors for high temperature applications, such as exhaust and fuel gas emissions monitoring, based on direct co-firing of sensor devices and Low-Temperature Co-fired Ceramics (LTCC) has been investigated. Structural (SEM, EDX, XPS), electrical (I/V, C/V) as well as gas sensing characterization of packaged devices has shown that the “one-step” packaging process forms a hermetic package with retained transducer functionality and gas sensing characteristics without the need for any separate die attachment, (wire) bonding, and/or sealing of the package. Long-term stability testing at elevated temperatures of packaged devices has also shown promising results.

  • 234.
    Sobocinski, Maciej
    et al.
    University of Oulu, Finland.
    Myllymäki, Sami
    University of Oulu, Finland.
    Nello, Mikko
    University of Oulu, Finland.
    Andersson, Mike
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Juuti, Jari
    University of Oulu, Finland.
    Kilpijärvi, Joni
    University of Oulu, Finland.
    Halonen, Niina
    University of Oulu, Finland.
    Jantunen, Heli
    University of Oulu, Finland.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad sensorvetenskap. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Laser shaped thick-film IDE for nanoparticle detection at high frequencies2016Inngår i: Proceedings EMRS 2016, 2016Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 235.
    Spetz, Anita
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Armgarth, M.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    HYDROGEN AND AMMONIA RESPONSE OF METAL-SILICON DIOXIDE-SILICON STRUCTURES WITH THIN PLATINUM GATES1988Inngår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 64, nr 3, s. 1274-1283Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The hydrogen and ammonia sensitivity of metal‐oxide‐semiconductor (MOS) structures with platinum gates between 3 and 70 nm thick was investigated. The response to these gases was measured as a shift in the capacitance‐voltage (CV) curve of the MOS structure along the voltage axis. The measurements were made at an elevated temperature, mainly at 150 °C, where chemical reactions take place on the surface of the catalytic metal. The main purpose of the investigation was to determine if hydrogen and ammonia are detected by similar mechanisms. It is concluded that hydrogen molecules are dissociated and hydrogen atoms give rise to a dipole layer at the metal‐oxide interface, similar to the behavior of hydrogen in hydrogen sensitive MOS structures with thick catalytic metal, normally Pd, gates. Ammonia, on the other hand, appears to be detected through surface potential changes of the Pt film, which are capacitively coupled to the semiconductor surface through voids in the thin metal film.

  • 236.
    Spetz, Anita
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Armgarth, M.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Optimization of ammonia-sensitive metal-oxide-semiconductor structures with platinum gates1987Inngår i: Sensors and Actuators, ISSN 0250-6874, Vol. 11, nr 4, s. 349-365Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Ammonia gas-sensitive MOS capacitors with platinum as a thin active metal gate have been studied. The influence of parameters such as the thickness and area of the platinum film on the ammonia sensitivity was investigated. Thicknesses of about 10 to 30 nm of platinum were found to be favourable for a large response to small ammonia concentrations. It was further observed that with aluminium as a thick contact material, the response to ammonia was independent of the area of the platinum film. Theoretical and experimental C(V curves were compared to elucidate the mechanism behnd the ammonia sensitivity. it is concluded that the sensitivity arises from the thin catalytic Pt film.

  • 237.
    Spetz, Anita
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Helmersson, Ulf
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Enquist, F.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Armgarth, M.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Structure and ammonia sensitivity of thin platinum or iridium gates in metal-oxide-silicon capacitors1989Inngår i: Thin Solid Films, ISSN 0040-6090, E-ISSN 1879-2731, Vol. 177, nr 1-2, s. 77-93Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Metal-oxide-semiconductor (MOS) structures with thin discontinuous platinum or iridium gates have a strong sensitivity to ammonia gas. Surface potential changes caused by NH3-derived species adsorbed on the metal grains are assumed to be capacitively coupled to the semiconductor surface through the cracks in the metal film. This causes a negative shift along the voltage axis of the capacitance-voltage curve of the MOS capacitor. The structure of the platinum or iridium film is thus of crucial importance for the response to NH3. Transmission electron microscopy (TEM) studies were therefore performed with specially prepared substrates which enabled thin metal films on silicon dioxide to be studied by TEM without any further treatment of the films. TEM micrographs of platinum films showed that the metal coverage and crack density corresponded well to the NH3 sensitivity of the films. Iridium films with a reproducible film structure were made through evaporation of about 10 nm of iridium at a pressure below 2 × 10-7 Torr at room temperature. Iridium films prepared in that way exhibited a very good NH3 response. Heat treatments of platinum and iridium films were shown to influence the structure of the metal film. H2 and NH3 treatments (in synthetic air) initiated structural changes at lower temperatures. For platinum films a change in film structure was always coupled with a decrease in the speed of response to NH3. For metal films with very large grains the surface potential change due to NH3 did not couple under the whole metal grain, which provides strong support for the proposed model of NH3 sensitivity.

  • 238.
    Strand, M.
    et al.
    Växjö universitet.
    Salomonsson, Anette
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Einvall, J.
    Aulin, C.
    Kemi LiU.
    Ojamäe, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi.
    Käll, Per-Olov
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Fysikalisk Kemi.
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Sanati, M.
    Växjö universitet.
    Nanoparticles as sensing material for selective and stable SiC-FET gas sensor2005Inngår i: European Aerosol Conference 2005,2005, 2005, s. 735-Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 239.
    Svenningstorp, H
    et al.
    Linkoping Univ, S SENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Unéus, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Tobias, P
    Linkoping Univ, S SENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Ekedahl, Lars-Gunnar
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    High temperature gas sensors based on catalytic metal field effect transistors2000Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 338-3, s. 1435-1438Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Catalytic metal insulator silicon carbide field effect devices, MISiCFET, have been developed as gas sensitive devices. They functioned in a corrosive atmosphere of hydrogen / oxygen alternating pulses up to 775 degreesC. At 600 degreesC some devices operated with full gas response to hydrogen for 17 hours. Below a temperature of 500 degreesC the gas response of the devices was very stable with no base line drift for several days. MISiC Schottky diodes have been used for cylinder specific monitoring of an engine and exhausts and flue gas diagnosis. The MISiCFET devices will increase the number of possible applications for FET gas sensor devices.

  • 240. Svenningstorp, H.
    et al.
    Widén, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Salomonsson, P.
    Volvo TU, Applied Physics, 6130, Chalmers Teknikpark, SE-412 88 Göteborg, Sweden.
    Ekedahl, Lars-Gunnar
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Tobias, P.
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Detection of HC in exhaust gases by an array of MISiC sensors2001Inngår i: Sensors and actuators. B, Chemical, ISSN 0925-4005, E-ISSN 1873-3077, Vol. 77, nr 1-2, s. 177-185Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Future legislations for car emissions make direct measurements in exhaust gases of hydrocarbon (HC) as well as CO and NOx interesting. Robust sensors that can stand the high temperature and rough environment in the exhaust gases are needed. Silicon carbide has the advantage of being a chemically very inert material, which, due to its high band gap, is a semiconductor even at temperatures around 800°C. Catalytic metal insulator silicon carbide Schottky diode sensors respond to gases like H2, HC, NOx in exhaust gases. The choice of catalytic metal, structure of the metal, and the operation temperature determines the response pattern to different gases. Here we will demonstrate that an array of different MISiC sensors to some extent predicts the HC concentration in gasoline exhaust gases. Chemometric methods are used for the evaluation of the signals. © 2001 Elsevier Science B.V.

  • 241.
    Svenningstorp, Henrik
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Tobias, Peter
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Biosensorer och bioelektronik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Salomonsson, Per
    AB Volvo Technological Development, Göteborg, Sweden.
    Mårtensson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ekedahl, Lars-Gunnar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Influence of catalytic reactivity on the response of metal-oxide-silicon carbide sensor to exhaust gases1999Inngår i: Sensors and actuators. B, Chemical, ISSN 0925-4005, E-ISSN 1873-3077, Vol. 57, nr 1-3, s. 159-165Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Catalytic metal insulator silicon carbide, MISiC, Schottky diodes are promising devices for on board exhaust diagnosis in cars. These sensors show a direct or indirect sensitivity to gases like H-2, CO, HC (hydrocarbons) and O-2. The catalytic reactivity of the sensor will effect the gas sensing conditions. In some situations knowledge about the reactivity of the catalytic surface may give more information about the exhaust gas composition. For instance, the sensor signal normally moves to a lower voltage in an ambient containing H-2 and HC, however, under certain conditions when exposed to rich gas mixtures, the HC response is opposite the one for H-2. Measurements performed by the MISiC sensors on simulated exhaust gas mixtures, either rich or lean, are shown here. Some fundamental studies of the HC response have been performed. Reaction limitation conditions are suggested as an explanation for the response of HC opposite the one of H-2.

  • 242.
    Tobias, Peter
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Baranzahi, Amir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Fast chemical sensing with metal-insulator silicon carbide structures1997Inngår i: IEEE Electron Device Letters, ISSN 0741-3106, E-ISSN 1558-0563, Vol. 18, nr 6, s. 287-289Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    It is demonstrated that the current-voltage characteristics of platinum-thin insulator silicon carbide diodes react rapidly to changes of the concentration of oxygen and hydrocarbons in the ambient already at temperatures around 500 degrees C-600 degrees C, In this letter, we use moving gas outlets to, for the first time, estimate time constants of the response in the order of a few milliseconds. The short time constants of these sensors make them suitable for applications in combustion monitoring. The new method to modulate gas concentrations rapidly at surfaces has the potential to be a valuable tool for evaluation of device structures for fast chemical sensing.

  • 243.
    Tobias, Peter
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Baranzahi, Amir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Schoner, A.
    IMC, Kista, Sweden .
    Rottner, K.
    IMC, Kista, Sweden .
    Karlsson, Susanne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Mårtensson, P.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Studies of the ambient dependent inversion capacitance of catalytic metal oxide silicon carbide devices based on 6H- and 4H-SiC material1998Inngår i: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Part 1-2, Trans Tech Publications , 1998, Vol. 264-2, s. 1089-1092Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Platinum-oxide-silicon carbide structures change their capacitance upon gas exposure and are used as gas sensors. The decrease of the inversion capacitance within 750 to 900 degrees C due to hydrogen exposure is studied for 4H- and 6H-SiC,:both n- and p-type. A mechanism for the capacitance decrease is suggested which explains also the large change in the conductance of the structures.

  • 244.
    Tobias, Peter
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Mårtensson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Baranzahi, Amir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Göras, Anders
    MECEL AB, Åmål, Sweden.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Moving gas outlets for the evaluation of fast gas sensors1998Inngår i: EUROSENSORS XII, VOLS 1 AND 2, IOP PUBLISHING LTD , 1998, s. 761-764Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    It is shown that platinum thin-insula :or-silicon carbide Schottky diodes operated at about 600 degrees C are fast enough to monitor the air fuel ratio in the individual cylinders in the exhaust from a petrol engine. These chemical sensors have time constants of the order of 1 ms. We describe a simple laboratory technique, which can be used to change the gas composition at a chemical sensor within milliseconds. It is based on mechanically oscillating gas outlets placed close to the sensor surface. The properties of and possibilities with such "moving gas outlets" are described.

  • 245.
    Tobias, Peter
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Mårtensson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Baranzahi, Amir
    Linköpings universitet, Institutionen för teknik och naturvetenskap, Fysik och elektroteknik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Salomonsson, Per
    AB Volvo Technological Development, Göteborg, Sweden.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Biosensorer och bioelektronik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Åbom, Lisa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Response of metal-insulator-silicon carbide sensors to different components in exhaust gases1998Inngår i: Sensors and actuators. B, Chemical, ISSN 0925-4005, E-ISSN 1873-3077, Vol. 47, nr 1-3, s. 125-130Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The effects of different components in simulated car exhaust gases on silicon carbide based field effect sensors are studied using a two-level factorial design. Strong effects are observed for H-2, hydrocarbons, and CO. The effects vary with temperature and can possibly be used for a multi-component analysis of exhaust gases.

  • 246.
    Tobias, Peter
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Mårtensson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Göras, Anders
    MECEL AB, Åmål, Sweden.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Biosensorer och bioelektronik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Moving gas outlets for the evaluation of fast gas sensors1999Inngår i: Sensors and actuators. B, Chemical, ISSN 0925-4005, E-ISSN 1873-3077, Vol. 58, nr 1-3, s. 389-393Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A new method for the evaluation of fast gas sensors is described. By using moving gas outlets, we can quickly change the ambient around a sensor. Different platinum-insulator-silicon carbide (MISiC) structures are investigated. Their sensor response contains fast components, which respond within milliseconds to a change in the ambient from a reducing gas to an oxidising gas and vice versa. Cylinder specific monitoring of car engines with the MISiC structures is discussed.

  • 247.
    Tobias, Peter
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nakagomi, S.
    Ishinomaki Senshu University, Japan.
    Baranzahi, Amir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Zhu, R.
    Ishinomaki Senshu University, Japan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Mårtensson, P.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Electrical characterization of chemical sensors based on catalytic metal gate - Silicon carbide Schottky diodes1998Inngår i: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Part 1-2, Trans Tech Publications , 1998, Vol. 264-2, s. 1097-1100Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The IV-characteristics of platinum gate Schottky diodes with an interfacial layer of TaSix or Ta depends on gas ambient and they are therefore used as gas sensors, e.g. for combustion engine monitoring. Ideality factors and barrier heights depend on interfacial layers and temperature and are further investigated here. Gas sensitive Schottky diodes on both p-and n-type SIC are shown.

  • 248.
    Tobias, Peter
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Svenningstorp, H.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Omonsson, P. S.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Mårtensson, P.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Influence of gas consumption on the response of metal oxide silicon carbide sensors to exhaust gases1998Inngår i: EUROSENSORS XII, VOLS 1 AND 2, Institute of Physics Publishing (IOPP), 1998, s. 249-252Konferansepaper (Annet vitenskapelig)
    Abstract [en]

    Silicon carbide based Schottky diodes w th catalytic gate metals are promising for diagnosis of exhaust gas from combustion engines. The forward voltage measured at a constant current changes from a low level in reducing gases to a high level in oxidising gases. Factorial design in two levels on synthetic exhausts reveal interesting details of the influence of the different components on the sensor signal. Contrary to earlier experiments, an increase of the concentration of hydrocarbons and carbon monoxide increases the signal level. Hydrogen gas behaves as expected, an increased concentration increases the signal level. The total area of catalytic metal was much smaller in the new experiment and the different behavior of the sensor signal can probably be explained by consumption cf gases on catalytic metal surfaces.

  • 249.
    Torsi, Luisa
    et al.
    Università degli Studi di Bari, Italy.
    Cioffi, Nicola
    Università degli Studi di Bari, Italy.
    Marinelli, F
    Università degli Studi di Bari, Italy.
    Ieva, Eliana
    Università degli Studi di Bari, Italy.
    Colaianni, L
    Università degli Studi di Bari, Italy.
    Dell A´quila, A
    Università degli Studi di Bari, Italy.
    Suranna, G.P.
    Università degli Studi di Bari, Italy.
    Mastrorilli, P
    Università degli Studi di Bari, Italy.
    Maisalkar, S
    Nanyang Technological University, Singapore.
    Lloyd Spetz, Anita
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Sabbatini, L
    Università degli Studi di Bari, Italy.
    Organic thin-film transistors for inorganic substance monitoring2009Inngår i: Organic electronics in Sensors and Biotechnology / [ed] Ruth Shinar and Joseph Shinar, New York: McGraw-Hill Companies Inc , 2009, 1, s. 51-91Kapittel i bok, del av antologi (Annet vitenskapelig)
    Abstract [en]

    Develop high-performance, field-deployable organic semiconductor-based biological, chemical, and physical sensor arrays using the comprehensive information contained in this definitive volume. Organic Electronics in Sensors and Biotechnology presents state-of-the-art technology alongside real-world applications and ongoing R & D.

    Learn about light, temperature, and pressure monitors, integrated flexible pyroelectric sensors, sensing of organic and inorganic compounds, and design of compact photoluminescent sensors. You will also get full details on organic lasers, organic electronics in memory elements, disease and pathogen detection, and conjugated polymers for advancing cellular biology.

    • Monitor organic and inorganic compounds with OFETs
    • Characterize organic materials using impedance spectroscopy
    • Work with organic LEDs, photodetectors, and photovoltaic cells
    • Form flexible pyroelectric sensors integrated with OFETs
    • Build PL-based chemical and biological sensing modules and arrays
    • Design organic semiconductor lasers and memory elements
    • Use luminescent conjugated polymers as optical biosensors
    • Deploy polymer-based switches and ion pumps at the microfluidic level
  • 250.
    Unéus, Lars
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Artursson, Tom
    AppliedSensor AB.
    Mattsson, Mattias
    Vattenfall Utveckling AB.
    Ljung, Per
    Vattenfall Utveckling AB.
    Wigren, Roger
    AppliedSensor AB.
    Mårtensson, Per
    Proxedra AB.
    Holmberg, Martin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Lloyd-Spets, Anita
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Evaluation of on-line flue gas measurements by MISiCFET and metal-oxide sensors in boilers2005Inngår i: IEEE Sensors Journal, ISSN 1530-437X, E-ISSN 1558-1748, Vol. 5, nr 1, s. 75-81Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Metal insulator silicon carbide field-effect transistor sensors, metal-oxide sensors, and a linear Lambda sensor in an electronic nose was used to measure on-line in hot flue gases from a boiler. Flue gas from a 100-MW pellets-fuelled boiler has been used to feed the experimental setup. Several reference instruments, which measure the flue gases in parallel to the sensor array, are connected to the electronic nose. Data was collected during six weeks and then evaluated. Using principal component analysis as the data evaluation method, different operating modes for the boiler have been identified in the data set. The different modes could be described in terms of high or low O 2 and CO concentration. Furthermore, we have shown that it seems possible to use a sensor array to determine the operating mode of the boiler and, by partial least-squares models, measure the CO concentration when the boiler operates in its optimum mode.

23456 201 - 250 of 278
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf