Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
ToF-SIMS depth profiling of (Ga,Mn)As capped with amorphous arsenic: Effects of annealing time
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik. Fasta tillståndets fysik.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik. Fasta tillståndets fysik.
Visa övriga samt affilieringar
2006 (Engelska)Ingår i: Applied Surface Science, Vol. 252, nr 19, s. 7252-4Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006. Vol. 252, nr 19, s. 7252-4
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-25699OAI: oai:DiVA.org:uu-25699DiVA, id: diva2:53473
Tillgänglig från: 2007-02-13 Skapad: 2007-02-13 Senast uppdaterad: 2016-07-12

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Warnicke, PeterÖsth, MichaelSvedlindh, Peter
Av organisationen
Fasta tillståndets fysik
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 865 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf