Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
A 0.18 #x003BC;m CMOS Ultra-Wideband Low-Noise Amplifier with High IIP3
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
Visa övriga samt affilieringar
2005 (Engelska)Ingår i: Proceedings of the Seventh IEEE CPMT Conference on High Density Microsystem Design, Packaging and Failure Analysis (HDP'05), 2005, s. 452-454Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

In this paper an ultra-wideband low-noise amplifier (LNA) for the frequency range of 3.1 - 9.4 GHz using 0.18 mu m CMOS RF process is introduced. Single-ended single stage LNA structure utilises an input LC-ladder, cascode transistor configuration and LRC-feedback to realise an ultra broad bandwidth response. In operating frequency range noise figure (NF) of 3.1 dB and gain of 10.6 dB were achieved along with high linearity (IIP3) even upto 10.9 dBm at 3.1 GHz. With the bias network, the LNA had a total power consumption of 31 mW from 1.8 V supply.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2005. s. 452-454
Nyckelord [en]
0.18 micron;1.8 V;10.6 dB;3.1 dB;3.1 to 9.4 GHz;31 mW;CMOS RF process;LRC-feedback;cascode transistor configuration;high IIP3;input LC-ladder;low-noise amplifier;noise figure;power consumption;single stage LNA structure;single-ended LNA structure;ultra broad bandwidth response;ultra-wideband amplifier;CMOS integrated circuits;ladder networks;low noise amplifiers;microwave amplifiers;ultra wideband technology;wideband amplifiers;
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-74190DOI: 10.1109/HDP.2005.251445ISI: 000239707000078Scopus ID: 2-s2.0-42749106602OAI: oai:DiVA.org:kth-74190DiVA, id: diva2:489282
Konferens
8th IEEE CPMT Conference on High Density Microsystem Design and Packaging and Component Failure Analysis (HDP 06). Shanghai Univ, Shanghai, PEOPLES R CHINA. JUN 27, 2005-JUN 30, 2006
Anmärkning
QC 20120302Tillgänglig från: 2012-02-02 Skapad: 2012-02-02 Senast uppdaterad: 2012-03-02Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Shen, MeigenDuo, XinzhongZheng, Li-RongTenhunen, Hannu
Av organisationen
Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 40 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf