Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Enhanced n-type dopant solubility in tensile-strained Si
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: Thin Solid Films, ISSN 0040-6090, E-ISSN 1879-2731, Vol. 517, nr 1, s. 331-333Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The creation of highly conductive ultrashallow-doped regions in strained Si is a key requirement for future Si based devices. It is shown that in the presence of tensile strain, Sb becomes a contender to replace As in strain-engineered CMOS devices due to advantages in sheet resistance. While strain reduces resistance for both As and Sb; a result of enhanced electron mobility, the reduction is significantly larger for Sb due to an increase in donor activation. Differential Hall measurements suggest this is a consequence of a strain-induced Sb solubility enhancement following solid-phase epitaxial regrowth, increasing Sb solubility in Si to levels approaching 10(21) cm(-3). Experiments highlight the importance of maintaining substrate strain during thermal annealing to maintain this high Sb activation.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 517, nr 1, s. 331-333
Nyckelord [en]
Antimony, Arsenic, Hall effect, Stress, Ion Implantation, Solid phase, epitaxy, implanted silicon, junctions, sb
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-18037DOI: 10.1016/j.tsf.2008.08.072ISI: 000261510700095Scopus ID: 2-s2.0-54949158424OAI: oai:DiVA.org:kth-18037DiVA, id: diva2:336083
Anmärkning
QC 20100525Tillgänglig från: 2010-08-05 Skapad: 2010-08-05 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Radamson, Henry H.
Av organisationen
Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
I samma tidskrift
Thin Solid Films

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 204 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf