Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Si/SiGe/Si : Er : O light-emitting transistors prepared by differential molecular-beam epitaxy
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Yt- och Halvledarfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Yt- och Halvledarfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
2001 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 78, nr 12, s. 1697-1699Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Si/SiGe/Si:Er:O heterojunction bipolar transistor (HBT) type light-emitting devices with Er3+ ions incorporated in the collector region have been fabricated using a layered structure grown by differential molecular-beam epitaxy. Electroluminescence measurements on processed light-emitting HBTs can be performed in either constant driving current mode or constant applied bias mode, which is an important advantage over conventional Si:Er light-emitting diodes. Intense room-temperature light emission at the Er3+ characteristic wavelength of 1.54 mum has been observed at low driving current density, e.g., 0.1 A cm(-2), and low applied bias, e.g., 3 V, across the collector and emitter. (C) 2001 American Institute of Physics.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2001. Vol. 78, nr 12, s. 1697-1699
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-53565DOI: 10.1063/1.1356732OAI: oai:DiVA.org:liu-53565DiVA, id: diva2:289379
Tillgänglig från: 2010-01-25 Skapad: 2010-01-25 Senast uppdaterad: 2017-12-12

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Du, Chun-XiaHansson, GöranNi, Wei-Xin
Av organisationen
Institutionen för fysik, kemi och biologiTekniska högskolanYt- och Halvledarfysik
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 111 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf