Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Scaling of 4H-SiC p-i-n photodiodes for high temperature applications
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
2017 (Engelska)Ingår i: 2017 75th Annual Device Research Conference (DRC), Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017Konferensbidrag (Refereegranskat)
Abstract [en]

Ultraviolet (UV) detection is important in astronomy, combustion detections and medical analysis. Solid-state UV detectors based on wide band gap semiconductors, such as 4H-SiC, are widely studied because of their excellent electrical properties [1]. 4H-SiC based UV detectors are solar blind and can be applied in extremely high temperature environments [2]. However, the state-of-art 4H-SiC photodetectors still have large sizes (>10000 μm2), which are not suitable to be integrated into high resolution UV photography sensors. To build a full-frame UV imaging sensor containing megapixels, photodiodes smaller than 20 μm by side are necessary. Here, we report the fabrication and characterization of 4H-SiC p-i-n photodiodes with mesa areas scaled from 40000 μm2 to 400 μm2. The relationships between the parameters and the areas of the photodiodes are discussed. The photodiodes are fully functional from room temperature (RT) to 500 °C.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017.
Serie
Device Research Conference - Conference Digest, DRC, ISSN 1548-3770
Nationell ämneskategori
Annan teknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-213521DOI: 10.1109/DRC.2017.7999445Scopus ID: 2-s2.0-85028060479ISBN: 9781509063277 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-213521DiVA, id: diva2:1137839
Konferens
75th Annual Device Research Conference, DRC 2017, University of Notre DameSouth Bend, United States, 25 June 2017 through 28 June 2017
Anmärkning

QC 20170901

Tillgänglig från: 2017-09-01 Skapad: 2017-09-01 Senast uppdaterad: 2017-09-01Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hou, ShuobenHellström, Per-ErikZetterling, Carl-MikaelÖstling, Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
Annan teknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 109 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf