Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Ultrafast luminescence decay in low-temperature MOCVD-grown InGaAs
Semiconductor Physics Institute, Vilnius, Lithuania.
Semiconductor Physics Institute, Vilnius, Lithuania.
KTH, Skolan för teknikvetenskap (SCI). (Laser Physics)
Institute för Optis Forskning.
1994 (engelsk)Inngår i: Semiconductor Science and Technology, ISSN 0268-1242, E-ISSN 1361-6641, Vol. 9, s. 1382-1386Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
sted, utgiver, år, opplag, sider
UK: Institute of Physics (IOP), 1994. Vol. 9, s. 1382-1386
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-74858OAI: oai:DiVA.org:kth-74858DiVA, id: diva2:490122
Merknad
NR 20140805Tilgjengelig fra: 2012-02-03 Laget: 2012-02-03 Sist oppdatert: 2017-12-08bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Semiconductor Science and Technology

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 31 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf